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兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。
兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料
兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。
碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride） 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米 電氣性能：拓撲絕緣體的 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二碲化鉿晶體 HfTe2（Hafnium Telluride） 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：半金屬 晶體結(jié)構(gòu)：六邊形 晶胞參數(shù)：a = b = 0.395 nm, c = 0.666 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二碲化鉬晶體 1T-MoTe2（Molybdenum Ditelluride） 晶體尺寸：~10毫米 電學特性：金屬 晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系 晶胞參數(shù)：a = 0.621 nm, b = 0.347 nm, c = 1.383 nm, α = γ = 90°, β = 93.83 ° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
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